如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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近年来,集成铁电学 (integrated ferroelectrics)迅速发展铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自发的极化强度其极化方向在外电场的作用下可以发生反转,表现出特殊的非线性介电行为,即电滞回线文章讨论了铁电电容模型的SPICE实现
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2005年9月9日 摘要: 推导出描述铁电电容电气特性的新模型 铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容) 和非开关电容(普通线 性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成
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2009年3月18日 铁电电容器及其制造方法 （57）摘要 一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电体层以及铁电体层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电体层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。 通
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2002年4月30日 建立了铁电电容器的电路仿真模型。 由于极化切换的复杂电压和时间依赖性，迟滞行为的模拟适用于电压变化为恒定速率或阶跃等的有限条件。
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2005年11月9日 铁电体电容器及其制造方法 本发明涉及适宜于铁电体非易失性存储器 (FRAM (ラムトロン国际公司的注册商标))等的铁电体电容器及其制造方法。 在计算机的主存储装置中正在使用动态随机存取存储器 (DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)等易失性存储
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2024年1月17日 实验室Nature Communications：一种新型非易失性存储器铁电鳍式二极管 自1920年首次发现铁电效应开始计算，铁电材料已经过了百岁诞辰。 随着铁电材料的发展和应用，基于铁电材料的非易失性存储器在军事和商业应用方面均获得了大量投入。 最具
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2022年4月16日 然而，受到传统铁电材料 (钙钛矿结构氧化物)体系缺陷 (如尺寸效应、污染问题等)等因素的限制，使得传统铁电材料与现有互补金属氧化物半导体 (coms)生产线不兼容，导致feram的商业化应用进程受到阻碍。
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2022年8月20日 铁电介质层作为存储介质层，反铁电介质层作为铁电介质层和底电极之间的接触界面层，同时，在制备中，反铁电介质层还作为铁电介质层的种子层。 本发明反铁电介质材料通过引导氧化铪基铁电介质层晶粒生长，提高铁电层介质中正交相 (o相)占比，来提高铁电介质层的剩余极化，进而提高铁电材料铁电性，而且抑制了铁电层介质中单斜相 (m
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2023年6月23日 近日，极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚教授团队提出了一种铁电电容器与金属绝缘体半导体（MIS）变容器垂直堆叠的铁电忆容器模型，利用铁电畴的非易失性和渐变反转特性以及铁电极化对MIS电容值的有效调控。
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2023年12月2日 铁电电容现在存在着抗疲劳性能差等问 题，这主要是由于在循环过程中铁电性的降低和电荷在介质层中隧穿，界面存在缺陷导致， 因此这与铁电电容结构有很大的关系，即与上电极和下电极有关，改善界面质量也是提高 存储器性能的关键。 发明内容 [0003] (一)发明目的 [0004] 本发明的目的是提供一种抗疲劳性强的铁电电容器、存储单元及制
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近年来,集成铁电学 (integrated ferroelectrics)迅速发展铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自发的极化强度其极化方向在外电场的作用下可以发生反转,表现出特殊的非线性介电行为,即电滞回线文章讨论了铁电电容模型的SPICE实现
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2005年9月9日 摘要: 推导出描述铁电电容电气特性的新模型 铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容) 和非开关电容(普通线 性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成
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2009年3月18日 铁电电容器及其制造方法 （57）摘要 一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电体层以及铁电体层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电体层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。 通
2002年4月30日 建立了铁电电容器的电路仿真模型。 由于极化切换的复杂电压和时间依赖性，迟滞行为的模拟适用于电压变化为恒定速率或阶跃等的有限条件。
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2005年11月9日 铁电体电容器及其制造方法 本发明涉及适宜于铁电体非易失性存储器 (FRAM (ラムトロン国际公司的注册商标))等的铁电体电容器及其制造方法。 在计算机的主存储装置中正在使用动态随机存取存储器 (DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)等易失性存储
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2024年1月17日 实验室Nature Communications：一种新型非易失性存储器铁电鳍式二极管 自1920年首次发现铁电效应开始计算，铁电材料已经过了百岁诞辰。 随着铁电材料的发展和应用，基于铁电材料的非易失性存储器在军事和商业应用方面均获得了大量投入。 最具
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2022年4月16日 然而，受到传统铁电材料 (钙钛矿结构氧化物)体系缺陷 (如尺寸效应、污染问题等)等因素的限制，使得传统铁电材料与现有互补金属氧化物半导体 (coms)生产线不兼容，导致feram的商业化应用进程受到阻碍。
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2022年8月20日 铁电介质层作为存储介质层，反铁电介质层作为铁电介质层和底电极之间的接触界面层，同时，在制备中，反铁电介质层还作为铁电介质层的种子层。 本发明反铁电介质材料通过引导氧化铪基铁电介质层晶粒生长，提高铁电层介质中正交相 (o相)占比，来提高铁电介质层的剩余极化，进而提高铁电材料铁电性，而且抑制了铁电层介质中单斜相 (m
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2023年6月23日 近日，极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚教授团队提出了一种铁电电容器与金属绝缘体半导体（MIS）变容器垂直堆叠的铁电忆容器模型，利用铁电畴的非易失性和渐变反转特性以及铁电极化对MIS电容值的有效调控。
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2023年12月2日 铁电电容现在存在着抗疲劳性能差等问 题，这主要是由于在循环过程中铁电性的降低和电荷在介质层中隧穿，界面存在缺陷导致， 因此这与铁电电容结构有很大的关系，即与上电极和下电极有关，改善界面质量也是提高 存储器性能的关键。 发明内容 [0003] (一)发明目的 [0004] 本发明的目的是提供一种抗疲劳性强的铁电电容器、存储单元及制
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近年来,集成铁电学 (integrated ferroelectrics)迅速发展铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自发的极化强度其极化方向在外电场的作用下可以发生反转,表现出特殊的非线性介电行为,即电滞回线文章讨论了铁电电容模型的SPICE实现
2005年9月9日 摘要: 推导出描述铁电电容电气特性的新模型 铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容) 和非开关电容(普通线 性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成
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2009年3月18日 铁电电容器及其制造方法 （57）摘要 一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电体层以及铁电体层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电体层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。 通
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2002年4月30日 建立了铁电电容器的电路仿真模型。 由于极化切换的复杂电压和时间依赖性，迟滞行为的模拟适用于电压变化为恒定速率或阶跃等的有限条件。
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2005年11月9日 铁电体电容器及其制造方法 本发明涉及适宜于铁电体非易失性存储器 (FRAM (ラムトロン国际公司的注册商标))等的铁电体电容器及其制造方法。 在计算机的主存储装置中正在使用动态随机存取存储器 (DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)等易失性存储
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2024年1月17日 实验室Nature Communications：一种新型非易失性存储器铁电鳍式二极管 自1920年首次发现铁电效应开始计算，铁电材料已经过了百岁诞辰。 随着铁电材料的发展和应用，基于铁电材料的非易失性存储器在军事和商业应用方面均获得了大量投入。 最具
2022年4月16日 然而，受到传统铁电材料 (钙钛矿结构氧化物)体系缺陷 (如尺寸效应、污染问题等)等因素的限制，使得传统铁电材料与现有互补金属氧化物半导体 (coms)生产线不兼容，导致feram的商业化应用进程受到阻碍。
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2022年8月20日 铁电介质层作为存储介质层，反铁电介质层作为铁电介质层和底电极之间的接触界面层，同时，在制备中，反铁电介质层还作为铁电介质层的种子层。 本发明反铁电介质材料通过引导氧化铪基铁电介质层晶粒生长，提高铁电层介质中正交相 (o相)占比，来提高铁电介质层的剩余极化，进而提高铁电材料铁电性，而且抑制了铁电层介质中单斜相 (m
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2023年6月23日 近日，极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚教授团队提出了一种铁电电容器与金属绝缘体半导体（MIS）变容器垂直堆叠的铁电忆容器模型，利用铁电畴的非易失性和渐变反转特性以及铁电极化对MIS电容值的有效调控。
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2023年12月2日 铁电电容现在存在着抗疲劳性能差等问 题，这主要是由于在循环过程中铁电性的降低和电荷在介质层中隧穿，界面存在缺陷导致， 因此这与铁电电容结构有很大的关系，即与上电极和下电极有关，改善界面质量也是提高 存储器性能的关键。 发明内容 [0003] (一)发明目的 [0004] 本发明的目的是提供一种抗疲劳性强的铁电电容器、存储单元及制
近年来,集成铁电学 (integrated ferroelectrics)迅速发展铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自发的极化强度其极化方向在外电场的作用下可以发生反转,表现出特殊的非线性介电行为,即电滞回线文章讨论了铁电电容模型的SPICE实现
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2005年9月9日 摘要: 推导出描述铁电电容电气特性的新模型 铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容) 和非开关电容(普通线 性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成
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2009年3月18日 铁电电容器及其制造方法 （57）摘要 一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电体层以及铁电体层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电体层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。 通
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2002年4月30日 建立了铁电电容器的电路仿真模型。 由于极化切换的复杂电压和时间依赖性，迟滞行为的模拟适用于电压变化为恒定速率或阶跃等的有限条件。
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2005年11月9日 铁电体电容器及其制造方法 本发明涉及适宜于铁电体非易失性存储器 (FRAM (ラムトロン国际公司的注册商标))等的铁电体电容器及其制造方法。 在计算机的主存储装置中正在使用动态随机存取存储器 (DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)等易失性存储
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2024年1月17日 实验室Nature Communications：一种新型非易失性存储器铁电鳍式二极管 自1920年首次发现铁电效应开始计算，铁电材料已经过了百岁诞辰。 随着铁电材料的发展和应用，基于铁电材料的非易失性存储器在军事和商业应用方面均获得了大量投入。 最具
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2022年4月16日 然而，受到传统铁电材料 (钙钛矿结构氧化物)体系缺陷 (如尺寸效应、污染问题等)等因素的限制，使得传统铁电材料与现有互补金属氧化物半导体 (coms)生产线不兼容，导致feram的商业化应用进程受到阻碍。
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2022年8月20日 铁电介质层作为存储介质层，反铁电介质层作为铁电介质层和底电极之间的接触界面层，同时，在制备中，反铁电介质层还作为铁电介质层的种子层。 本发明反铁电介质材料通过引导氧化铪基铁电介质层晶粒生长，提高铁电层介质中正交相 (o相)占比，来提高铁电介质层的剩余极化，进而提高铁电材料铁电性，而且抑制了铁电层介质中单斜相 (m
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2023年6月23日 近日，极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚教授团队提出了一种铁电电容器与金属绝缘体半导体（MIS）变容器垂直堆叠的铁电忆容器模型，利用铁电畴的非易失性和渐变反转特性以及铁电极化对MIS电容值的有效调控。
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2023年12月2日 铁电电容现在存在着抗疲劳性能差等问 题，这主要是由于在循环过程中铁电性的降低和电荷在介质层中隧穿，界面存在缺陷导致， 因此这与铁电电容结构有很大的关系，即与上电极和下电极有关，改善界面质量也是提高 存储器性能的关键。 发明内容 [0003] (一)发明目的 [0004] 本发明的目的是提供一种抗疲劳性强的铁电电容器、存储单元及制
近年来,集成铁电学 (integrated ferroelectrics)迅速发展铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自发的极化强度其极化方向在外电场的作用下可以发生反转,表现出特殊的非线性介电行为,即电滞回线文章讨论了铁电电容模型的SPICE实现
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2005年9月9日 摘要: 推导出描述铁电电容电气特性的新模型 铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容) 和非开关电容(普通线 性电容)的并联,而电畴电容可以看作是由电偶极子组成的铁电材料、上电极和下电极组成
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2009年3月18日 铁电电容器及其制造方法 （57）摘要 一种铁电电容器，其包含：下部电极层、下部电极层上的铁电体层以及铁电体层上的上部电极层，其中在下部电极层上形成铁电体，使得铁电体具有主取向轴，并且，下部电极层具有多层结构，下部电极的这些层越接近铁电体层，则铁电体的构成元素或由构成元素构成的化合物对下部电极的扩散系数越大。 通
2002年4月30日 建立了铁电电容器的电路仿真模型。 由于极化切换的复杂电压和时间依赖性，迟滞行为的模拟适用于电压变化为恒定速率或阶跃等的有限条件。
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2005年11月9日 铁电体电容器及其制造方法 本发明涉及适宜于铁电体非易失性存储器 (FRAM (ラムトロン国际公司的注册商标))等的铁电体电容器及其制造方法。 在计算机的主存储装置中正在使用动态随机存取存储器 (DRAM)和静态随机存取存储器 (SRAM)等易失性存储
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2024年1月17日 实验室Nature Communications：一种新型非易失性存储器铁电鳍式二极管 自1920年首次发现铁电效应开始计算，铁电材料已经过了百岁诞辰。 随着铁电材料的发展和应用，基于铁电材料的非易失性存储器在军事和商业应用方面均获得了大量投入。 最具
2022年4月16日 然而，受到传统铁电材料 (钙钛矿结构氧化物)体系缺陷 (如尺寸效应、污染问题等)等因素的限制，使得传统铁电材料与现有互补金属氧化物半导体 (coms)生产线不兼容，导致feram的商业化应用进程受到阻碍。
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2022年8月20日 铁电介质层作为存储介质层，反铁电介质层作为铁电介质层和底电极之间的接触界面层，同时，在制备中，反铁电介质层还作为铁电介质层的种子层。 本发明反铁电介质材料通过引导氧化铪基铁电介质层晶粒生长，提高铁电层介质中正交相 (o相)占比，来提高铁电介质层的剩余极化，进而提高铁电材料铁电性，而且抑制了铁电层介质中单斜相 (m
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2023年6月23日 近日，极化材料与器件教育部重点实验室段纯刚教授团队提出了一种铁电电容器与金属绝缘体半导体（MIS）变容器垂直堆叠的铁电忆容器模型，利用铁电畴的非易失性和渐变反转特性以及铁电极化对MIS电容值的有效调控。
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2023年12月2日 铁电电容现在存在着抗疲劳性能差等问 题，这主要是由于在循环过程中铁电性的降低和电荷在介质层中隧穿，界面存在缺陷导致， 因此这与铁电电容结构有很大的关系，即与上电极和下电极有关，改善界面质量也是提高 存储器性能的关键。 发明内容 [0003] (一)发明目的 [0004] 本发明的目的是提供一种抗疲劳性强的铁电电容器、存储单元及制
